N-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से | vedclass

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Question

(A) $N$-प्रकार के अर्धचालक में,शुद्ध अर्धचालक (जैसे $Si$ या $Ge$) में पंचसंयोजी अशुद्धि परमाणु मिलाए जाते हैं।ये अशुद्धि परमाणु चालन बैंड में अतिरिक्त

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दाता स्तर चालन बैंड (conduction band) के निचले हिस्से के ठीक नीचे स्थित होता है।

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(A) $N$-प्रकार के अर्धचालक में,शुद्ध अर्धचालक (जैसे $Si$ या $Ge$) में पंचसंयोजी अशुद्धि परमाणु मिलाए जाते हैं।ये अशुद्धि परमाणु चालन बैंड में अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन प्रदान करते हैं।इन दाता इलेक्ट्रॉनों के ऊर्जा स्तरों को दाता ऊर्जा स्तर $(E_d)$ कहा जाता है।ये दाता ऊर्जा स्तर चालन बैंड $(E_c)$ के ठीक नीचे स्थित होते हैं,जो आमतौर पर $Ge$ के लिए $0.01 \ eV$ और $Si$ के लिए $0.05 \ eV$ की दूरी पर होते हैं।इसलिए,दाता स्तर चालन बैंड के निचले हिस्से के ठीक नीचे स्थित होता है।

$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

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निम्नलिखित में से कौन सा ऊर्जा बैंड आरेख $N-$ प्रकार के अर्धचालक को दर्शाता है?

$N$-प्रकार के अर्धचालक में,दाता ऊर्जा स्तर $E_D$ कहाँ स्थित होते हैं?

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