निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?

  • A
    तापमान बढ़ने पर आंतरिक (intrinsic) अर्धचालकों का प्रतिरोध घट जाता है।
  • B
    शुद्ध $Si$ में त्रिसंयोजक (trivalent) अशुद्धियाँ मिलाने पर $P-$प्रकार के अर्धचालक प्राप्त होते हैं।
  • C
    $N-$प्रकार के अर्धचालकों में बहुसंख्यक वाहक (majority carriers) होल होते हैं।
  • D
    एक $PN-$जंक्शन अर्धचालक डायोड के रूप में कार्य कर सकता है।

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निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?

कथन: कमरे के तापमान पर $p-$प्रकार के सिलिकॉन अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या शुद्ध सिलिकॉन अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या से कम होती है।
कारण: यह द्रव्यमान क्रिया के नियम (law of mass action) के कारण है।

$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

एक शुद्ध अर्धचालक क्रिस्टल में $8 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ हैं। इसे $2 \text{ ppm}$ सांद्रता वाले पंचसंयोजी (pentavalent) परमाणुओं के साथ डोप किया गया है। अर्धचालक क्रिस्टल में बनने वाले होल्स की संख्या ज्ञात कीजिए (आंतरिक वाहक सांद्रता,$n_i = 1 \times 10^{16} \text{ m}^{-3}$)।

एक अर्धचालक में,$27^{\circ} \text{C}$ पर आंतरिक आवेश वाहकों की संख्या घनत्व $1.5 \times 10^{16} \, \text{m}^{-3}$ है। यदि अर्धचालक को अशुद्धि परमाणुओं के साथ डोप किया जाता है,तो होल घनत्व बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \, \text{m}^{-3}$ हो जाता है। डोप किए गए अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन घनत्व $..... \times 10^{9} \, \text{m}^{-3}$ है।

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