નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?

એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં એનર્જી ગેપ $E_{g}$ એ $1.2 \; eV$ છે. તેની હોલ મોબિલિટી ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી કરતા ઘણી ઓછી છે અને તાપમાનથી સ્વતંત્ર છે. $600 \; K$ અને $300 \; K$ તાપમાને વાહકતાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? ધારો કે આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $n_{i}$ નું તાપમાન પરનું નિર્ભરતા $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $n_{0}$ એક અચળાંક છે.

અર્ધવાહકમાંથી વહેતો વિદ્યુત પ્રવાહ કોના ડ્રિફ્ટ (ડ્રિફ્ટ) ને કારણે હોય છે?

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $50 \text{ meV}$ પર છે. એક હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે,જરૂરી પ્રકાશના ફોટોનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($\mu \text{m}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક,$h = 6.6 \times 10^{-34} \text{ Js}$ અને શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ,$c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$)

$P-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ એટલે શું?

$\text{એક આંતરિક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા } 6 \times 10^{15} \,m^{-3} \text{ છે. અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને } 4 \times 10^{22} \,m^{-3} \text{ થાય છે. ઉષ્મીય સંતુલનમાં, ડોપ્ડ અર્ધવાહકમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?}$