આવર્તમાં ડાબેથી જમણે જતાં નીચેનામાંથી કયા ગુણધર્મોનો સમૂહ સામાન્ય રીતે ઘટે છે?

નીચેના વિધાનોનું અવલોકન કરો:
$I$. તત્વોના ભૌતિક અને રાસાયણિક ગુણધર્મો તેમની ઇલેક્ટ્રોનિક રચનાના આવર્તનીય વિધેયો છે.
$II$. ફ્લોરિનની વિદ્યુતઋણતા ક્લોરિનની વિદ્યુતઋણતા કરતા ઓછી છે.
$III$. સમૂહમાં ઉપરથી નીચે તરફ જતાં વિદ્યુતધનાત્મક સ્વભાવ ઘટે છે.
સાચો જવાબ છે:

નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$A.$ $Ga$ કે જેનું ગલનબિંદુ ખૂબ ઊંચું છે તેનાથી વિપરીત,$Cs$ નું ગલનબિંદુ ખૂબ નીચું છે.
$B.$ પાઉલિંગ સ્કેલ પર,$N$ અને $Cl$ ની વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યો સમાન નથી.
$C.$ $Ar$,$K^{+}$,$Cl^{-}$,$Ca^{2+}$,અને $S^{2-}$ એ તમામ આઈસોઈલેક્ટ્રોનિક સ્પીસીઝ છે.
$D.$ $Na$,$Mg$,$Al$,અને $Si$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ $Si > Al > Mg > Na$ છે.
$E.$ $Cs$ ની પરમાણ્વીય ત્રિજ્યા $Li$ અને $Rb$ કરતા મોટી છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો

કૉલમ-$I$ ને કૉલમ-$II$ સાથે જોડો

$A. S \rightarrow S^{-}$	$P. {\text{ઉષ્માશોષક પ્રક્રિયા}}$
$B. N^{-} \rightarrow N$	$Q. {\text{ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા}}$
$C. O^{-} \rightarrow O^{2-}$	$R. {\text{નીપજમાં નિષ્ક્રિય વાયુ જેવી ઇલેક્ટ્રોન રચના}}$
$D. P \rightarrow P^{-}$	$S. {\text{નીપજમાં અર્ધ}-\text{પૂર્ણ ઇલેક્ટ્રોન રચના}}$

સાચી જોડ છે $:-$

નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$I.$ ઋણ આયનની ત્રિજ્યા તેના મૂળ પરમાણુ કરતા મોટી હોય છે.
$II.$ આવર્તમાં પરમાણુ ક્રમાંક વધવાની સાથે આયનીકરણ ઉર્જા સામાન્ય રીતે વધે છે.
$III.$ તત્વની વિદ્યુતઋણતા એ અલગ પડેલા પરમાણુની ઇલેક્ટ્રોનને આકર્ષવાની વૃત્તિ છે.
ઉપરોક્તમાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે?

નીચેના પૈકી આયનીકરણ એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ ક્યો છે?
$(i) Ba < Sr < Ca$
$(ii) S^{2-} < S < S^{2+}$
$(iii) C < O < N$
$(iv) Mg < Al < Si$