નીચેનામાંથી કઈ ઉર્જા બેન્ડ આકૃતિ $N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને દર્શાવે છે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી,હોલની સાંદ્રતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ $Si$ માં નવી ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ક્યાં હોય છે?

$N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર પરનો કુલ વિદ્યુતભાર કેટલો હોય છે?

$P$-પ્રકારના જર્મેનિયમ સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે,તેને શેના વડે ડોપ કરવું જોઈએ?

જો $n_e$ અને $n_h$ એ બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય અને $n_i$ એ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં વાહકની સાંદ્રતા હોય,તો: