જ્યારે ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેની સાથે સંકળાયેલ તરંગની તરંગલંબાઈ:

એક કણનું દળ $m$ છે. જો તેની ગતિ ઊર્જા તેના પ્રારંભિક મૂલ્ય કરતા ચાર ગણી કરવામાં આવે,તો તેની દ બ્રોગ્લી તરંગ લંબાઈમાં શું ફેરફાર થશે?

એક પ્રોટોન અને એક ઇલેક્ટ્રોનને સમાન સ્થિતિમાન તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. તો $\frac{\lambda_e}{\lambda_p}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

$m$ દળ ધરાવતો એક ઇલેક્ટ્રોન જેનો પ્રારંભિક વેગ $\vec{V} = V_0 \hat{i} \,(V_0 > 0)$ છે,તે $t = 0$ સમયે $\vec{E} = -E_0 \hat{i} \,(E_0 = \text{અચળ} > 0)$ વિદ્યુતક્ષેત્રમાં પ્રવેશ કરે છે. જો $\lambda_0$ તેની પ્રારંભિક ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ હોય,તો $t$ સમયે તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

એક પ્રોટોન અને $\alpha$-કણને અનુક્રમે $2\,V$ અને $4\,V$ ના સ્થિતિમાન દ્વારા સ્થિર સ્થિતિમાંથી પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. તેમની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કેટલો થાય ($:1$ માં)?

એક ઈલેક્ટ્રોન પુંજ સ્ફટિક પર આપાત થાય છે. સ્ફટિકના પરમાણ્વિય સમતલનું અંતર $b$ છે. નીચેના પૈકી કઈ દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતો ઈલેક્ટ્રોન પુંજ સીધો જ પરાવર્તિત થશે?