એક કણનું દળ $m$ છે. જો તેની ગતિ ઊર્જા તેના પ્રારંભિક મૂલ્ય કરતા ચાર ગણી કરવામાં આવે,તો તેની દ બ્રોગ્લી તરંગ લંબાઈમાં શું ફેરફાર થશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન (દળ $m$) અને એક ફોટોન સમાન ઉર્જા $E$ ધરાવે છે જે થોડા $eV$ ના ગાળામાં છે. ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ અને ફોટોનની તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કેટલો થાય? ($c =$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ)

પ્રોટોનની ગતિઊર્જા એ ફોટોનની ઊર્જા $E$ જેટલી છે. ધારો કે $\lambda_1$ એ પ્રોટોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ છે અને $\lambda_2$ એ ફોટોનની તરંગલંબાઈ છે. જો $\left(\frac{\lambda_1}{\lambda_2}\right) \propto E^{n}$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય કેટલું થાય?

$4.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન $3 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($Å$ માં)?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ અવગણ્ય વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_1$ છે. તો ગુણોત્તર $\lambda : \lambda_1^2$ શું થશે? ($h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશનો વેગ,$m =$ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ)

એક ઇલેક્ટ્રોન ક્ષેત્રમાંથી પસાર થઈ રહ્યો છે. તે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $(i)$ વિદ્યુતક્ષેત્રની વિરુદ્ધ દિશામાં અને $(ii)$ ચુંબકીય ક્ષેત્રને લંબ ગતિ કરે છે. દરેક પરિસ્થિતિ માટે ઇલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ નક્કી કરો: