જ્યારે પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

$1824 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા,$5.3 \ eV$ મહત્તમ ઉર્જા ધરાવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન થાય છે. જ્યારે $1216 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઉર્જા $8.7 \ eV$ હોય છે. ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) .............. $eV$ છે.

આપેલ આકૃતિ એક ચોક્કસ ધાતુ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં કેટલાક ડેટા પોઈન્ટ્સ દર્શાવે છે. તેની સપાટી પરથી ઈલેક્ટ્રોનને બહાર કાઢવા માટેની લઘુત્તમ ઉર્જા $....... eV$ છે. (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.62 \times 10^{-34} \, J \cdot s$)

જ્યારે $v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આનું કારણ એ છે કે...

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\lambda /2$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $3$ ગણી હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?
$(h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશની ઝડપ $)$

આલેખ ત્રણ પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુઓ $X_1, X_2$ અને $X_3$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $\nu$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_o$ માં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. આપાત વિકિરણની સમાન તરંગલંબાઈ માટે,કઈ ધાતુ વધુ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરશે?