જ્યારે $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને ગરમ કરવામાં આવે છે,ત્યારે

જ્યારે આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરની વાહકતા

ધારો કે શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ અણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતા ધરાવતા પંચસંયોજક $As$ વડે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ગણો. $(n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3})$

મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિશીલતા મુક્ત હોલ્સ કરતા વધારે હોય છે કારણ કે

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $50 \text{ meV}$ પર છે. એક હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે,જરૂરી પ્રકાશના ફોટોનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($\mu \text{m}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક,$h = 6.6 \times 10^{-34} \text{ Js}$ અને શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ,$c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$)

$500\,K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16}\,m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\,m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?