જ્યારે આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરની વાહકતા

ધારો કે ${n_h}$ અને ${n_e}$ એ અર્ધવાહકમાં અનુક્રમે હોલ અને કન્ડક્શન ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે. તો

જ્યારે અર્ધવાહકની વાહકતા માત્ર સહસંયોજક બંધ તૂટવાને કારણે હોય,ત્યારે તે અર્ધવાહકને શું કહેવામાં આવે છે?

એક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $10^{16} \ m^{-3}$ છે. ગેલિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_{h}$ વધીને $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો,ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં $n_{e}$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,$27^{\circ} \text{C}$ તાપમાને આંતરિક ચાર્જ કેરિયર્સની સંખ્યા ઘનતા $1.5 \times 10^{16} \, \text{m}^{-3}$ છે. જો સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિ પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે,તો હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \, \text{m}^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $..... \times 10^{9} \, \text{m}^{-3}$ છે.

$p$-પ્રકાર અને $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ અનુક્રમે કયા છે?