જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેલના એમિટર પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $V$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $2\lambda / 3$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

જ્યારે એકવર્ણી પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.2 \ m$ ના અંતરે હોય,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને સંતૃપ્ત ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ અનુક્રમે $0.6 \ V$ અને $18 \ mA$ છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.6 \ m$ દૂર મૂકવામાં આવે,તો:

બે સમાન ધાતુની પ્લેટો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર દર્શાવે છે. પ્લેટ $A$ પર ${\lambda _A}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ અને પ્લેટ $B$ પર ${\lambda _B}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થાય છે,જ્યાં ${\lambda _A} = 2{\lambda _B}$ છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા શું હશે?

ધાતુની સપાટી દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $V$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર અને દળ અનુક્રમે $e$ અને $m$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે. વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?

જ્યારે અમુક આવૃત્તિ ધરાવતું અલ્ટ્રાવાયોલેટ વિકિરણ પોટેશિયમ ટાર્ગેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનને $0.6 \, V$ ના રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા સંપૂર્ણપણે અટકાવી શકાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિમાં $10 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે,તો આ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધીને $0.9 \, V$ થાય છે. પોટેશિયમનું વર્ક ફંક્શન ........ $eV$ છે.

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v_0$ છે. જ્યારે $2v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $2 \times 10^6 \ m/s$ છે. જો $3v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ . . . . . . છે.