જ્યારે એકવર્ણી પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.2 \ m$ ના અંતરે હોય,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને સંતૃપ્ત ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ અનુક્રમે $0.6 \ V$ અને $18 \ mA$ છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.6 \ m$ દૂર મૂકવામાં આવે,તો:

$5\, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં કેથોડ $C$ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઊર્જા $2\, eV$ છે. જ્યારે $6\, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન $C$ પર આપાત થાય,ત્યારે જો $C$ ની સાપેક્ષમાં $A$ નું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ હોય,તો કોઈ પણ ફોટોઈલેક્ટ્રોન એનોડ $A$ સુધી પહોંચશે નહીં.

નીચે આપેલા આલેખમાં,જો ઢાળ $4.12 \times 10^{-15} \ V-sec$ હોય,તો '$h$' નું મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$f$ એ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણોની આવૃત્તિ છે અને $I$ એ આપાત વિકિરણોની તીવ્રતા છે. નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો. કયા વિધાનો સાચા છે?
$(A)$ જો $I$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $f$ વધારવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વધે છે.
$(B)$ જો કેથોડ અને એનોડ વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.
$(C)$ જો $f$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $I$ વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ સમાન રહે છે અને સેચ્યુરેશન કરંટ વધે છે.
$(D)$ જો $f$ અને $I$ અચળ રાખીને વર્ક ફંક્શન ઘટાડવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.

આપેલ છે કે $10,000\;\mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના ફોટોનની ઉર્જા $1.23\; eV$ છે. જ્યારે $5000\;\mathring A$ તરંગલંબાઈ અને $I_0$ તીવ્રતા ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ પર પડે છે,ત્યારે સેચ્યુરેશન કરંટ $0.40 \times 10^{-6}\; A$ અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.36\; V$ છે; તો વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ..... $eV$ છે.

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ