જ્યારે $p-n$ જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ આપવામાં આવે છે,ત્યારે પોટેન્શિયલ બેરિયર (સ્થિતિમાન અવરોધ) પર શું અસર થાય છે?

આપેલ આકૃતિમાં ત્રણ સિલિકોન ડાયોડ શ્રેણીમાં જોડાયેલા છે. બિંદુ $X$ પર કેટલો વૉલ્ટેજ આપવામાં આવે તો ત્રણેય ડાયોડ ફૉરવર્ડ બાયસમાં આવશે?

નેટવર્કમાં પ્રવાહ $i$ કેટલો છે ($A$ માં)?

એક સેમિકન્ડક્ટર $p-n$ ડાયોડમાં,$p$-બાજુ અને $n$-બાજુ પર ડોપિંગ સાંદ્રતા અનુક્રમે $10^{15} \text{ atoms/cm}^3$ અને $10^{18} \text{ atoms/cm}^3$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$P-N$ જંકશનમાં,જ્યારે બાયસિંગ . . . હોય ત્યારે સર્કિટમાં એવાલાન્ચ પ્રવાહ વહે છે.

ફોરવર્ડ બાયસ્ડ $p-n$ જંકશન ડાયોડમાં,ડેપ્લેશન રિજનમાં પોટેન્શિયલ બેરિયર કયા સ્વરૂપમાં હશે?