$P-N$ જંકશનમાં,જ્યારે બાયસિંગ . . . હોય ત્યારે સર્કિટમાં એવાલાન્ચ પ્રવાહ વહે છે.

જ્યારે $p-n$ જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ આપવામાં આવે છે,ત્યારે તે . . . . . . .

બે $PN$-જંકશનને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ત્રણ અલગ-અલગ પદ્ધતિઓ દ્વારા શ્રેણીમાં જોડી શકાય છે. જો જંકશન પરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત સમાન હોય,તો સાચા જોડાણો કયા હશે?

સેમિકન્ડક્ટર જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ $A$ અને $B$ ની બે બાજુઓને અનુક્રમે આર્સેનિક અને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવી છે. તેમને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બેટરી સાથે જોડવામાં આવ્યા છે. આ ગોઠવણ માટે પ્રવાહ અને વોલ્ટેજ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?

$p-n$ જંકશનના $n$-વિસ્તારમાં રહેલો એક ઇલેક્ટ્રોન $5 \times 10^5 \ m/s$ ની ઝડપથી જંકશન તરફ ગતિ કરે છે. જો જંકશનનો બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.45 \ V$ હોય,તો બેરિયરમાંથી પસાર થયા પછી ઇલેક્ટ્રોન જે ઝડપ સાથે $p$-વિસ્તારમાં પ્રવેશ કરે છે તે શોધો (ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ અને ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$).

આપેલ પરિપથમાં,બે આદર્શ ડાયોડ વિરુદ્ધ દિશામાં સમાંતર જોડેલા છે. પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ $I$ કેટલો હશે ($A$ માં)?