નબળા અને વિદ્યુતચુંબકીય આંતરક્રિયાઓનું એકીકરણ કોના દ્વારા કરવામાં આવ્યું હતું?

વિધાન : ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર પ્રકાશની તરંગ પ્રકૃતિ દર્શાવે છે.
કારણ : ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા પ્રકાશની આવૃત્તિના સમપ્રમાણમાં હોય છે.

વિદ્યુતચુંબકીય તરંગો અને ઇલેક્ટ્રોનની કણ પ્રકૃતિ અને તરંગ પ્રકૃતિ નીચેનામાંથી કોના દ્વારા દર્શાવી શકાય છે?

જ્યારે પ્રકાશના એકવર્ણી બિંદુવત ઉદગમને ફોટોસેલથી $0.1\, m$ અંતરે મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ અને સંતૃપ્ત પ્રવાહ અનુક્રમે $0.8\, V$ અને $24\, mA$ છે. જો તે જ ઉદગમને ફોટોસેલથી $0.2\, m$ અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ અને સંતૃપ્ત પ્રવાહ કેટલા હશે?

બે સમાંતર ડિસ્કને $L=0.5 \,m$ લંબાઈના સખત સળિયા દ્વારા કેન્દ્રમાં જોડવામાં આવી છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ દરેક ડિસ્કમાં વિરુદ્ધ દિશામાં સ્લિટ (કાપો) છે. તટસ્થ અણુઓનો એક બીમ એક ડિસ્ક પર અક્ષીય રીતે અલગ-અલગ વેગ $v$ થી આપાત થાય છે,જ્યારે સિસ્ટમ $600 \,rev/s$ ની કોણીય ઝડપે ફરે છે,જેથી માત્ર ચોક્કસ વેગ ધરાવતા અણુઓ જ બીજા છેડેથી બહાર નીકળે. બીજા છેડેથી બહાર નીકળતા અણુઓની બે સૌથી મોટી ઝડપ ($m/s$ માં) ગણો.

વિધાન $(A)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,પ્રકાશની તીવ્રતા વધારવાથી,ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને તે દરેકની ગતિ ઊર્જા બંને વધે છે,પરંતુ ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ બદલાતો નથી.
કારણ $(R)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માત્ર પ્રકાશની તરંગલંબાઈ પર આધાર રાખે છે.