$P$-પ્રકારના $Si$ સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે,આપણે શુદ્ધ $Si$ માં શેનું ડોપિંગ કરવું જોઈએ?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી,હોલની સાંદ્રતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ $Si$ માં નવી ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

$Ge$ ના નમૂનામાં $Al$ ઉમેરવામાં આવે છે. એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સાંદ્રતા $10^{21} \text{ atoms}/m^3$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની આંતરિક સાંદ્રતા $10^{19} /m^3$ હોય, તો નમૂનામાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?

શુદ્ધ સિલિકોનમાં $T = 300 \ K$ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $7 \times 10^{15} \ m^{-3}$ છે. એન્ટિમનીને સિલિકોનમાં $10^7 \ Si$ પરમાણુ દીઠ $1$ પરમાણુના દરે અશુદ્ધિ તરીકે ઉમેરવામાં આવે છે. ધારો કે અડધા અશુદ્ધિ પરમાણુઓ તેમના ઈલેક્ટ્રોન કન્ડકશન બેન્ડમાં આપે છે. ભાર વાહકોની સંખ્યામાં થતો વધારો દર્શાવતો ઘટક શોધો. આપેલ છે: સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \ m^{-3}$ છે.

$p$-પ્રકાર અને $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ અનુક્રમે કયા છે?