अर्धचालक में विद्युत धारा किसके अपवाह (drift) के कारण होती है?

यदि $n_{e}$ और $n_{h}$ फॉस्फोरस के साथ भारी मात्रा में डोप किए गए अर्धचालक में क्रमशः इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या हैं,तो:

एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $5 \times 10^{28}$ परमाणु $m^{-3}$ हैं। इसे $1 \, ppm$ सांद्रता वाले पेंटावैलेंट $As$ के साथ डोप किया जाता है। होल्स की संख्या ज्ञात कीजिए। ($n_i = 1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ लें)

$500\, K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की सांद्रता समान है,जो $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ हो जाता है। डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का है?

कमरे के तापमान पर,एक $p$-प्रकार के अर्धचालक में होता है

बाह्य (extrinsic) अर्धचालकों के लिए,जब डोपिंग स्तर बढ़ाया जाता है: