સોડિયમ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5000\;\mathring{A}$ છે. તેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $300\, nm$ થી બદલીને $400\, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે ................ $V$ છે $\left( \frac{hc}{e} = 1240\, nm \cdot V \right)$

એક ફોટો-ઈમિશન પ્રયોગમાં,ધાતુઓ $P, Q$ અને $R$ માંથી ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_P, E_Q$ અને $E_R$ છે,અને તેઓ $E_P = 2E_Q = 2E_R$ સંબંધ ધરાવે છે. આ પ્રયોગમાં,ધાતુઓ $P$ અને $Q$ માટે સમાન મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશના સ્ત્રોતનો ઉપયોગ થાય છે,જ્યારે ધાતુ $R$ માટે અલગ મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશના સ્ત્રોતનો ઉપયોગ થાય છે. ધાતુઓ $P, Q$ અને $R$ ના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $4.0 \ eV$,$4.5 \ eV$ અને $5.5 \ eV$ છે. ધાતુ $R$ માટે વપરાતા આપાત ફોટોનની ઊર્જા,$eV$ માં,કેટલી હશે?

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14\, eV$ છે. જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.60\, V$ દ્વારા ફોટો કરંટ શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો. (પરિણામ $nm$ માં)

જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $x \ V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $2 \lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{x}{3} \ V$ છે. ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ .......... છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?