तीन फोटोडायोड $D_1, D_2,$ और $D_3$ ऐसे अर्धचालकों से बने हैं जिनके बैंड गैप क्रमशः $2.5 \ eV, 2 \ eV,$ और $3 \ eV$ हैं। इनमें से कौन से $6000 \ \mathring{A}$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश का पता लगाने में सक्षम होंगे?

  • A
    $D_1$ only
  • B
    $D_1$ and $D_2$
  • C
    $D_2$ and $D_3$
  • D
    $D_1$ and $D_3$

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एक फोटोडिटेक्टर $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ अर्धचालक से बना है जिसका $E_g = 0.73 \, eV$ है। यह अधिकतम कितनी तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है ($nm$ में)?

$LED$ के $V-I$ अभिलक्षण किस ग्राफ द्वारा सही ढंग से दिखाए गए हैं?

कथन $-1$: एक फोटोडायोड रिवर्स बायस में कार्य करता है।
कथन $-2$: माइनॉरिटी कैरियर द्वारा नियंत्रित रिवर्स बायस करंट पर फोटो-इफेक्ट के कारण होने वाला आंशिक परिवर्तन,फॉरवर्ड बायस करंट में होने वाले आंशिक परिवर्तन की तुलना में अधिक आसानी से मापने योग्य है।

$1.4 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconductor) से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। यह किस तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता लगा सकता है?

$LED$ के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

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