एक फोटोडिटेक्टर $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ अर्धचालक से बना है जिसका $E_g = 0.73 \, eV$ है। यह अधिकतम कितनी तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है ($nm$ में)?

तीन फोटोडायोड $D_{1}, D_{2}$ और $D_{3}$ ऐसे अर्धचालकों से बने हैं जिनका बैंड गैप क्रमशः $2.5 eV, 2 eV$ और $3 eV$ है। इनमें से कौन $600 nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश का पता लगाने में सक्षम होगा?

$LED$ को $GaAsP$ अर्धचालक सामग्री से बनाया गया है। इस $LED$ का ऊर्जा अंतराल $1.9\, eV$ है। उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य और उसके रंग की गणना करें।
$[h = 6.63 \times 10^{-34} \, Js$ और $c = 3 \times 10^{8} \, ms^{-1}]$

किस प्रकार के $p-n$ जंक्शन डायोड को संचालित होने के लिए फॉरवर्ड बायस की आवश्यकता नहीं होती है?

$LED$ की अधिकतम रेटेड शक्ति $2 \text{ mW}$ है और इसे नीचे दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार $5 \text{ V}$ के इनपुट वोल्टेज के साथ सर्किट में उपयोग किया जाता है। प्रतिरोध $R$ से गुजरने वाली धारा $0.5 \text{ mA}$ है। यह सुनिश्चित करने के लिए कि $LED$ क्षतिग्रस्त न हो,प्रतिरोध $R_S$ का न्यूनतम मान . . . . . . $\text{k}\Omega$ है।

प्रकाश उत्सर्जक डायोड $(LED)$ का योजनाबद्ध प्रतीक है: