ધાતુઓ $A$, $B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.92 eV$, $2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. $4100 Å$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે કઈ ધાતુ(ઓ) ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે? $[h=6.63 \times 10^{-34} J s, e=1.6 \times 10^{-19} C, c=3 \times 10^8 m/s]$.

$1 \; eV$ અને $2.5 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન વિકિરણો ક્રમશઃ $0.5 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જ્યારે $3000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની ઊર્જા $0.5 \ eV$ હોય છે. જો $2000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો ફોટોન તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની ઊર્જા કેટલી હશે?

$5.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,જે $4.0 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોન માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ છે.

$400 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા આપાત પ્રકાશ દ્વારા ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત તમામ ઇલેક્ટ્રોન $2 \,N/C$ ના સમાન વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશામાં $1 \,m$ અંતર કાપીને સ્થિર થાય છે. સપાટીનું કાર્ય વિધેય કેટલું હશે ($\,eV$ માં)?

$3 \,eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોનનો પ્રવાહ પોટેશિયમની સપાટી પર આપાત થાય છે. પોટેશિયમનું કાર્ય વિધેય $2.3 \,eV$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને $5 \,mm$ દૂર રાખેલી કોપર પ્લેટ દ્વારા ધીમા પાડવામાં આવે છે. જો બે ધાતુની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $1 \,V$ હોય,તો ઇલેક્ટ્રોન પાછા ફરતા પહેલા પોટેશિયમની સપાટીથી કેટલા મહત્તમ અંતર સુધી જઈ શકશે? .......... $mm$.