એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.0 \ eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે તેવા પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($nm$ માં)?

વિધાન $1$ : જ્યારે પારજાંબલી પ્રકાશ ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_{max}$ છે. જ્યારે પારજાંબલી પ્રકાશને બદલે $X$-કિરણોનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, ત્યારે $V_0$ અને $K_{max}$ બંને વધે છે.
વિધાન $2$ : ફોટોઈલેક્ટ્રોન $0$ થી મહત્તમ મૂલ્ય સુધીની ઝડપની રેન્જ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે કારણ કે આપાત પ્રકાશમાં આવૃત્તિઓની રેન્જ હોય છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE_{\max})$ વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે છે. જો $A$ અને $B$ અનુક્રમે $X$ અને $Y$ અક્ષ પરના અંતઃખંડો હોય,તો પ્લાન્કનો અચળાંક શેના દ્વારા આપવામાં આવે છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E_k$ ને આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ $\nu$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. આ વક્રનો ઢાળ શું આપે છે?

$400 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ $2.5 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર પડે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું મહત્તમ રેખીય વેગમાન શોધો.

$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.