એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.0 \ eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોન ઉત્સર્જન કરાવી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે $...... \ nm$ છે.

હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં એક ઇલેક્ટ્રોન બીજા બોહર કક્ષામાંથી ધરા સ્થિતિમાં કૂદકો મારે છે,અને બે અવસ્થાઓની ઉર્જા વચ્ચેનો તફાવત ફોટોન સ્વરૂપે ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટોન એક પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $4.2 \ eV$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)? ($n$-મી કક્ષામાં ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા $= -\frac{13.6}{n^2} \ eV$).

એક ધાતુની સપાટી પર $400 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય ............ $eV$ છે $(hc = 1240 \ eV \ nm)$.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$2.48 eV$ ઉર્જા ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.5 V$ માપવામાં આવ્યું હતું. ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન-$I$: આકૃતિ બે પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થો $M_1$ અને $M_2$ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ નો આવૃત્તિ $(v)$ સાથેનો ફેરફાર દર્શાવે છે. ઢાળ $\frac{h}{e}$ નું મૂલ્ય આપે છે,જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર છે.
વિધાન-$II$: સમાન આવૃત્તિ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે $M_2$ વધુ ગતિ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.

સીઝિયમ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.14 \; eV$ છે. જ્યારે $6 \times 10^{14} \; Hz$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનનું ફોટો-ઉત્સર્જન થાય છે. તો
$(a)$ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા,
$(b)$ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ,અને
$(c)$ ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?