એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $5.01\ eV$ છે. જ્યારે તેના પર $2000\ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ સ્થિતિમાનનો તફાવત ................. $V$ છે.

એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $1 \; eV$ છે. $3000 \; \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે?

ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા ફોટોન માટે ઊર્જા અનુક્રમે $3W$ અને $5W$ છે,જ્યાં $W$ એ તે ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર શોધો.

શરૂઆતમાં $\lambda_1$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ફોટોકેથોડ પર આપાત થાય છે અને $E_1$ મહત્તમ ઉર્જા ધરાવતો ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરે છે. જો આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ બદલીને $\lambda_2$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઉર્જા $E_2$ થાય છે. તો $hc$ ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ) નું મૂલ્ય શું હશે?

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: n$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ વધારવામાં આવે અને અન્ય પરિબળો અચળ રાખવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ($v > v_0$,થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ) શું થશે?