એક ધાતુ માટે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu \ (\times 10^{14} \ Hz)$ ના વિધેય તરીકે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ નો ફેરફાર આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. સપાટીનું વર્ક ફંક્શન $........... \ eV$ છે.

$6.4 \times 10^{-5} \; W/cm^{2}$ તીવ્રતા ધરાવતા વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણના કિરણપુંજની તરંગલંબાઈ $\lambda = 310 \; nm$ છે. તે $1 \; cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની સપાટી (વર્ક ફંક્શન $\varphi = 2 \; eV$) પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. જો દર $10^{3}$ ફોટોન દીઠ એક ફોટોન ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતું હોય, તો $1 \; s$ માં ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા $10^{x}$ છે. તો $x$ નું મૂલ્ય શોધો. $(hc = 1240 \; eV \cdot nm, 1 \; eV = 1.6 \times 10^{-19} \; J)$

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$1.5 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર ત્રણ અલગ-અલગ પ્રકાશ આપાત થાય છે. પ્રકાશ $A$ ની તરંગલંબાઇ $200 \ nm$ અને તીવ્રતા $1.8 \ W/m^2$ છે,પ્રકાશ $B$ ની તરંગલંબાઇ $400 \ nm$ અને તીવ્રતા $1 \ W/m^2$ છે,અને પ્રકાશ $C$ ની તરંગલંબાઇ $600 \ nm$ અને તીવ્રતા $0.5 \ W/m^2$ છે. ફોટોકરન્ટ વિરુદ્ધ વોલ્ટેજ માપવામાં આવે છે. કયો આલેખ કયા પ્રકાશને અનુરૂપ છે?

આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,ધાતુમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિનો આલેખ એક સીધી રેખા આપે છે,જેનો ઢાળ:

પદાર્થ $A$ માં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર જોવા મળે છે. તેનું કાર્ય વિધેય $2.5 \ eV$ છે અને થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. અન્ય પદાર્થ $B$ નું કાર્ય વિધેય $5 \ eV$ છે. $B$ માં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ શોધો.

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.2 \ eV$ છે. તેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ .......... $ \mathring A $ હશે.