$Al$ અને $Si$ માં અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન $3p$ કક્ષકમાં હાજર છે. કયા ઇલેક્ટ્રોન ન્યુક્લિયસમાંથી વધુ અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર અનુભવશે?

(B) $Si$ ના ઇલેક્ટ્રોન વધુ અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર અનુભવે છે.
$Al$ $(Z=13)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના: $[Ne] 3s^{2} 3p^{1}$
$Si$ $(Z=14)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના: $[Ne] 3s^{2} 3p^{2}$
બંને તત્વોના સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન સમાન કક્ષા $(n=3)$ અને સમાન પેટા-કક્ષા $(3p)$ માં છે.
જોકે,$Si$ $(14)$ નો પરમાણુ ક્રમાંક $Al$ $(13)$ કરતા વધારે છે.
જેમ પ્રોટોનની સંખ્યા વધે છે,તેમ કેન્દ્રીય વીજભાર વધે છે,જેના પરિણામે $Al$ ની સરખામણીમાં $Si$ ના સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન વધુ અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર $(Z_{eff})$ અનુભવે છે.