હાઇડ્રોજન પરમાણુના $3 \rightarrow 2$ સંક્રમણને અનુરૂપ વિકિરણ એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થઈને ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોનને $3 \times 10^{-4} \ T$ ના ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. જો આ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા અનુસરવામાં આવતા સૌથી મોટા વર્તુળાકાર પથની ત્રિજ્યા $10.0 \ mm$ હોય,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) આશરે......$ eV$ છે.

વિધાન $(A)$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર પ્રકાશની તરંગ પ્રકૃતિ દર્શાવે છે.
કારણ $(R)$: ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા પ્રકાશની આવૃત્તિના સમપ્રમાણમાં હોય છે.

નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો: $(1)$ પ્રકાશની સંપૂર્ણ સમજૂતી માટે તરંગ અને કણ બંને પ્રકૃતિની જરૂર છે. $(2)$ એક જ પ્રયોગમાં પ્રકાશ એકસાથે તરંગ અને કણ બંને પ્રકૃતિ દર્શાવી શકતો નથી.

હાઇડ્રોજન પરમાણુના $3 \rightarrow 2$ સંક્રમણને અનુરૂપ વિકિરણ સોનાની સપાટી પર આપાત થઈને ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોનને $5 \times 10^{-4} \, T$ ના ચુંબકીય ક્ષેત્રમાંથી પસાર કરવામાં આવે છે. ધારો કે આ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા અનુસરવામાં આવતા સૌથી મોટા વર્તુળાકાર પથની ત્રિજ્યા $7 \, mm$ છે,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય $..... \, eV$ છે. (ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9.1 \times 10^{-31} \, kg$)

સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ અને આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા $(I)$ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?

બે સમાંતર ડિસ્કને $L=0.5 \,m$ લંબાઈના સખત સળિયા દ્વારા કેન્દ્રમાં જોડવામાં આવી છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ દરેક ડિસ્કમાં વિરુદ્ધ દિશામાં સ્લિટ (કાપો) છે. તટસ્થ અણુઓનો એક બીમ એક ડિસ્ક પર અક્ષીય રીતે અલગ-અલગ વેગ $v$ થી આપાત થાય છે,જ્યારે સિસ્ટમ $600 \,rev/s$ ની કોણીય ઝડપે ફરે છે,જેથી માત્ર ચોક્કસ વેગ ધરાવતા અણુઓ જ બીજા છેડેથી બહાર નીકળે. બીજા છેડેથી બહાર નીકળતા અણુઓની બે સૌથી મોટી ઝડપ ($m/s$ માં) ગણો.