એક ધાતુ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક વર્ક ફંક્શન $2.4 \ eV$ છે. આપેલી ચાર તરંગલંબાઈઓમાંથી,કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થશે નહીં ($nm$ માં)?

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \text{ V}$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા . . . . . . હશે.

એક ધાતુ સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $6.2 \ eV$ છે. જો આ સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5 \ V$ હોય,તો આપાત વિકિરણ ...... પ્રદેશમાં હશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,જો આપણે એકવર્ણી પ્રકાશનો ઉપયોગ કરીએ,તો $I - V$ વક્ર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. જો ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2 \, eV$ હોય,તો વપરાયેલ પ્રકાશનો પાવર $W$ માં અંદાજો.
(ધારો કે ફોટો-ઉત્સર્જનની કાર્યક્ષમતા $= 10^{-3} \%$,એટલે કે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા એ ધાતુ પર આપાત થતા ફોટોનની સંખ્યાના $10^{-3} \%$ છે.)

$2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $3.4 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ-ઊર્જા .......... $eV$ છે.

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?