એક ધાતુ સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $6.2 \ eV$ છે. જો આ સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5 \ V$ હોય,તો આપાત વિકિરણ ...... પ્રદેશમાં હશે.

સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $({V_0})$:

જ્યારે $1.5 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર ફોટોન આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $8 \times 10^5 \text{ m/s}$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)? (ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \text{ kg}$ અને ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$)

સીઝિયમની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $5.16 \times 10^{14} \ Hz$ છે. તો તેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) . . . . . . $eV$ છે.

બે સમાન ફોટોકેથોડ $n_1$ અને $n_2$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ મેળવે છે. જો $m$ દળ ધરાવતા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વેગ અનુક્રમે $V_1$ અને $V_2$ હોય,તો ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક):

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$f$ એ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણોની આવૃત્તિ છે અને $I$ એ આપાત વિકિરણોની તીવ્રતા છે. નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો. કયા વિધાનો સાચા છે?
$(A)$ જો $I$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $f$ વધારવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વધે છે.
$(B)$ જો કેથોડ અને એનોડ વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.
$(C)$ જો $f$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $I$ વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ સમાન રહે છે અને સેચ્યુરેશન કરંટ વધે છે.
$(D)$ જો $f$ અને $I$ અચળ રાખીને વર્ક ફંક્શન ઘટાડવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.