$1 \ m^3$ દીઠ સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા $5 \times 10^{28}$ છે. આમાં $4.5 \times 10^{21}$ પરમાણુ $/ m^3$ આર્સેનિક ઉમેરવામાં આવે છે. ડોપિંગ પછી ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને હોલ્સની સંખ્યાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે? ($n_i = 1.5 \times 10^{16} / m^3$ લો)

$m^{3}$ દીઠ સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા $5 \times 10^{28}$ છે. આમાં $5 \times 10^{22}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^{3}$ આર્સેનિક અને $5 \times 10^{20}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^{3}$ ઇન્ડિયમનું એકસાથે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_{i} = 1.5 \times 10^{16} \; m^{-3}$. શું આ પદાર્થ $n$-ટાઈપ છે કે $p$-ટાઈપ?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો હોલની સાંદ્રતા વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો સિલિકોનમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

જો અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલના પ્રવાહનો ગુણોત્તર $\frac{7}{4}$ હોય અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર $\frac{5}{4}$ હોય,તો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

$P-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર ત્યારે બને છે જ્યારે:

સેમિકન્ડક્ટરમાં રહેલા ડોનર પરમાણુમાં એક ઢીલી રીતે બંધાયેલો ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આ ઇલેક્ટ્રોનની કક્ષા સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલ દ્વારા નોંધપાત્ર રીતે પ્રભાવિત થાય છે,પરંતુ તે ઘણી રીતે હાઇડ્રોજન ન્યુક્લિયસની આસપાસ ફરતા ઇલેક્ટ્રોન જેવું વર્તન કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું અસરકારક દળ $0.07 \, m_e$ હોય,જ્યાં $m_e$ એ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે અને જે અવકાશમાં તે ગતિ કરે છે તેની પરમિટિવિટી $13 \, \varepsilon_0$ છે,તો ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી નીચી ઉર્જા કક્ષાની ત્રિજ્યા આશરે ................. $\mathring{A}$ હશે (હાઇડ્રોજન પરમાણુની બોહર ત્રિજ્યા $0.53 \mathring{A}$ લો).