$P-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર ત્યારે બને છે જ્યારે:

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકની વાહકતા કેટલી હશે,જો આ તાપમાને પ્રતિ $cm^3$ ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની સંખ્યા $1.072 \times 10^{10}$ હોય,$\mu_e = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ અને $\mu_h = 480 \ cm^2/V \cdot s$ હોય?

$300\, K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન $(n_i = 10^{16}/m^3)$ સ્ફટિકમાં,દર ઘન મીટર દીઠ $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. તો નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી થશે?

$N$-પ્રકારના $Ge$ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઈલેક્ટ્રોન્સની મોબિલિટી $5000 \ cm^2/V \cdot s$ અને વાહકતા $5 \ mho/cm$ છે. જો હોલ્સની અસર અવગણી શકાય તેવી હોય,તો અશુદ્ધિ પરમાણુઓની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટીને તેમના ડ્રિફ્ટ વેગ અને લાગુ કરેલા વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે,ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19} \ m^{-3}$ હોય અને તેમની મોબિલિટી $1.6 \ m^2/(V \cdot s)$ હોય,તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા (કારણ કે તે $n$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,હોલ્સનું યોગદાન અવગણવામાં આવે છે) ................ $\Omega \cdot m$ ની નજીક છે.

જ્યારે જર્મેનિયમમાં નીચેનામાંથી કોનું ડોપિંગ કરવામાં આવે ત્યારે $n-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર મળે છે?