$1.8 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ધરાવતા પ્રકાશના કિરણો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $eV$ માં કેટલું હશે?

$100 \; W$ ના મર્ક્યુરી સ્ત્રોતમાંથી $2271 \,\mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પારજાંબલી પ્રકાશ મોલિબ્ડેનમ ધાતુના ફોટો-સેલ પર આપાત થાય છે। જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $-1.3 \; V$ હોય, તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન શોધો। $He-Ne$ લેસર દ્વારા ઉત્પન્ન થતા $6328 \,\mathring{A}$ તરંગલંબાઇના ઉચ્ચ તીવ્રતા $(10^{5} \; W \; m^{-2})$ વાળા લાલ પ્રકાશ સામે ફોટો-સેલ કેવી પ્રતિક્રિયા આપશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $200 \, nm$ થી બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે કેટલો હશે ($ \, V$ માં)? [$hc = 1240 \, eV \cdot nm$ નો ઉપયોગ કરો, જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે].

જ્યારે $hv$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $E_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી એલ્યુમિનિયમ પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $K$ છે. જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી થશે?

$5\, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં કેથોડ $C$ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઊર્જા $2\, eV$ છે. જ્યારે $6\, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન $C$ પર આપાત થાય,ત્યારે જો $C$ ની સાપેક્ષમાં $A$ નું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ હોય,તો કોઈ પણ ફોટોઈલેક્ટ્રોન એનોડ $A$ સુધી પહોંચશે નહીં.

જો એક ફોટોસેલને $1240 \mathring{A}$ ના વિકિરણ સાથે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $8 \text{ V}$ મળે છે; તો ઉત્સર્જકનું વર્ક ફંક્શન અને થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ શોધો: