લેપટોપ $PC$,આધુનિક ઇલેક્ટ્રોનિક ઘડિયાળો અને કેલ્ક્યુલેટર ડિસ્પ્લે માટે નીચેનામાંથી શેનો ઉપયોગ કરે છે?

નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો $:$
$A.$ સોલર સેલનો જંકશન વિસ્તાર ફોટોડાયોડની સરખામણીમાં ખૂબ મોટો રાખવામાં આવે છે.
$B.$ સોલર સેલ કોઈ પણ બાહ્ય બાયસ સાથે જોડાયેલા હોતા નથી.
$C.$ $\text{LED}$ એ હેવીલી ડોપ્ડ (વધારે અશુદ્ધિ ઉમેરેલા) $p-n$ જંકશનથી બનેલી હોય છે.
$D.$ ફોરવર્ડ કરંટમાં વધારો થવાથી $\text{LED}$ ની પ્રકાશ તીવ્રતામાં સતત વધારો થાય છે.
$E.$ પ્રકાશના ઉત્સર્જન માટે $\text{LED}$ ને ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડવી આવશ્યક છે.
કયા વિધાનો સાચા છે?

જ્યારે $2480 \; nm$ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણ અર્ધવાહક પર આપાત થાય છે,ત્યારે તેની વિદ્યુત વાહકતા વધે છે. અર્ધવાહક માટે બેન્ડ ગેપ $eV$ માં કેટલો હશે?

$2.5 eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ જંકશન ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કેટલી તરંગલંબાઇનો સિગ્નલ શોધી શકે છે? (આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} Js$,પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 m/s$,પ્રાથમિક વિદ્યુતભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} C$)

એક $LED$ (Light Emitting Diode) એ $Ga-As-P$ સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલના $p-n$ જંકશનથી બનેલું છે,જેનો એનર્જી ગેપ $1.9\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

સોલર સેલનો $I-V$ લાક્ષણિકતા આલેખ યામ પદ્ધતિના ચોથા ચરણમાં કેમ દોરવામાં આવે છે?