ધાતુની પ્લેટ પર પડતા પ્રકાશની તીવ્રતા $(I)$ અને ઉત્પન્ન થતા ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ $(i)$ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હોય છે?

$400\,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશનો કિરણપુંજ એક પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર લંબરૂપે આપાત થાય છે ($25\%$ પરાવર્તન પામે છે અને બાકીનો ભાગ શોષાય છે). આ સપાટી પર $5 \times 10^{-7}\,N/m^2$ નું દબાણ ઉત્પન્ન કરે છે. જો આપાત ફોટોન્સના $0.1\%$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો અનુરૂપ સેચ્યુરેશન પ્રવાહ $\dots \mu A$ હશે. (પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું ક્ષેત્રફળ $= 5\,cm^2$ લો)

સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ અને આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા $(I)$ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર દરમિયાન ધાતુની સપાટી પરથી ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન ક્યારે થાય છે?

એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ ઉગમબિંદુની ડાબી બાજુ $9\,m$ અંતરે છે અને પ્રકાશનો સ્ત્રોત $x$-અક્ષ પર ઉગમબિંદુની જમણી બાજુ $7\,m$ અંતરે છે. ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ અને પ્રકાશનો સ્ત્રોત સ્થિર સ્થિતિમાંથી શરૂ કરીને અનુક્રમે $8\widehat{i}\,m/s$ અને $4\widehat{i}\,m/s$ ના વેગથી ગતિ કરે છે. ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ દ્વારા પ્રાપ્ત થતી $t = 0$ અને $t = 3\,s$ સમય પરની તીવ્રતાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક ફોટોસેલના કૅથોડના દ્રવ્યને એવી રીતે બદલવામાં આવે છે કે જેથી કૅથોડની સપાટીના દ્રવ્યનું વર્કફંકશન $W_1$ થી બદલાઈને $W_2$ થાય છે. $(W_2 > W_1)$. જો કૅથોડની સપાટી બદલ્યા પહેલા અને પછી ઉદભવતા ફોટોઈલેક્ટ્રૉન પ્રવાહ અનુક્રમે $I_1$ અને $I_2$ હોય તથા $hf > W_2$ હોય,તો: