(N/A) $N$ પરમાણુ $(Z=7)$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^2 2s^2 2p_x^1 2p_y^1 2p_z^1$ છે. $N_2$ માં કુલ ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $14$ છે. $N_2$ માટે ઉર્જા સ્તરોનો વધતો ક્રમ: $\sigma 1s < \sigma^* 1s < \sigma 2s < \sigma^* 2s < \pi 2p_x = \pi 2p_y < \sigma 2p_z < \pi^* 2p_x = \pi^* 2p_y < \sigma^* 2p_z$.
$(i)$ $N_2$ ($14$ $e^-$): રચના: $(\sigma 1s)^2, (\sigma^* 1s)^2, (\sigma 2s)^2, (\sigma^* 2s)^2, (\pi 2p_x)^2, (\pi 2p_y)^2, (\sigma 2p_z)^2$. બંધ ક્રમાંક $(BO)$ = $\frac{1}{2}(10-4) = 3$. પ્રતિચુંબકીય (અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન નથી).
$(ii)$ $N_2^+$ ($13$ $e^-$): રચના: $(\sigma 1s)^2, (\sigma^* 1s)^2, (\sigma 2s)^2, (\sigma^* 2s)^2, (\pi 2p_x)^2, (\pi 2p_y)^2, (\sigma 2p_z)^1$. $BO = \frac{1}{2}(9-4) = 2.5$. અનુચુંબકીય (એક અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન).
$(iii)$ $N_2^-$ ($15$ $e^-$): રચના: $(\sigma 1s)^2, (\sigma^* 1s)^2, (\sigma 2s)^2, (\sigma^* 2s)^2, (\pi 2p_x)^2, (\pi 2p_y)^2, (\sigma 2p_z)^2, (\pi^* 2p_x)^1$. $BO = \frac{1}{2}(10-5) = 2.5$. અનુચુંબકીય (એક અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન).
$(iv)$ $N_2^{2+}$ ($12$ $e^-$): રચના: $(\sigma 1s)^2, (\sigma^* 1s)^2, (\sigma 2s)^2, (\sigma^* 2s)^2, (\pi 2p_x)^2, (\pi 2p_y)^2$. $BO = \frac{1}{2}(8-4) = 2$. પ્રતિચુંબકીય (અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન નથી).
$BO$ ના આધારે સ્થિરતાનો ક્રમ: $N_2 > N_2^+ \approx N_2^- > N_2^{2+}$.