$Q$ જેટલો વિદ્યુતભાર અને $A$ જેટલું ક્ષેત્રફળ ધરાવતા અલગ કરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $C$ ની ધાતુની પ્લેટો વચ્ચેનું સ્થિત-વિદ્યુત બળ કેટલું હોય છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની રચના કરવાની છે,જેમાં $5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિકનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે,જેથી તેની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $10^9 \; Vm^{-1}$ હોય. જો કેપેસિટરનું વોલ્ટેજ રેટિંગ $12 \; kV$ હોય,તો $80 \; pF$ કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે દરેક પ્લેટનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જોઈએ?

$1\,m^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.1\,m$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $100\,N/C$ હોય,તો દરેક પ્લેટ પરના વિદ્યુતભારનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

$5\,mm$ ના અંતરે રહેલી બે સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $50\,V$ છે. $10^{-15}\,kg$ દળ અને $10^{-11}\,C$ વિદ્યુતભાર ધરાવતો એક કણ $10^7\,m/s$ ના વેગથી તેમાં પ્રવેશે છે. તો કણનો પ્રવેગ કેટલો હશે?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા એક અલગ કરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,ચાર સપાટીઓ પર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $Q_1$,$Q_2$,$Q_3$ અને $Q_4$ વિદ્યુતભારો છે. પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $12 \ \mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું અને પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ અડધું કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસીટન્સ ... $\mu F$ થશે.