[Ti(H_2O)_6]^{3+} નો ઇલેક્ટ્રોનિક સ્પેક્ટ્રમ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) $[Ti(H_2O)_6]^{3+}$ સંકીર્ણમાં $Ti^{3+}$ છે જેની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $d^1$ છે.અષ્ટફલકીય ક્ષેત્રમાં,$d^1$ ઇલેક્ટ્રોન $t_{2g}$ કક્ષકમાં ગોઠવાય છે.$t_{

Vedclass · Accepted Answer

$97$

Vedclass · Answer

(D) $[Ti(H_2O)_6]^{3+}$ સંકીર્ણમાં $Ti^{3+}$ છે જેની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $d^1$ છે.અષ્ટફલકીય ક્ષેત્રમાં,$d^1$ ઇલેક્ટ્રોન $t_{2g}$ કક્ષકમાં ગોઠવાય છે.$t_{2g}$ અને $e_g$ કક્ષકો વચ્ચેનો ઉર્જા તફાવત $\Delta_0 = 20,300 \, cm^{-1}$ છે.$d^1$ રચના માટે $CFSE = 0.4 \Delta_0$ થાય.$CFSE = 0.4 	imes 20,300 \, cm^{-1} = 8,120 \, cm^{-1}$.$cm^{-1}$ ને $kJ \, mol^{-1}$ માં ફેરવવા માટે,$1 \, kJ \, mol^{-1} \approx 83.7 \, cm^{-1}$ નો ઉપયોગ કરતા:$CFSE = \frac{8,120}{83.7} \approx 97 \, kJ \, mol^{-1}$.

Similar Questions

અષ્ટફલકીય સંકીર્ણમાં સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન દરમિયાન $d^4$ આયન માટે $t_{2g}^4 e_g^0$ ઇલેક્ટ્રોન રચના કેવી રીતે શક્ય છે?

હાઈ સ્પિન કોમ્પ્લેક્સ માટે નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

નીચેનામાંથી કયા લિગેન્ડની ક્ષેત્ર પ્રબળતા (field strength) સૌથી વધુ છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module