અષ્ટફલકીય સંકીર્ણમાં સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન દરમિયાન $d^4$ આયન માટે $t_{2g}^4 e_g^0$ ઇલેક્ટ્રોન રચના કેવી રીતે શક્ય છે?

નીચેનામાંથી કયા સંકીર્ણમાં ધાતુ આયન $t_{2g}^3 e_g^2$ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના ધરાવે છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: વિધાન $I$: ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ થિયરીના આધારે અષ્ટફલકીય ક્ષેત્રમાં $e_g$ કક્ષકોમાંનો દરેક ઇલેક્ટ્રોન કક્ષકોને $+0.6\Delta_o$ દ્વારા અસ્થિર કરે છે અને $t_{2g}$ કક્ષકોમાંનો દરેક ઇલેક્ટ્રોન કક્ષકોને $-0.4\Delta_o$ દ્વારા સ્થિર કરે છે. વિધાન $II$: સંક્રાંતિ ધાતુઓની તમામ $d$-કક્ષકો તેમની મુક્ત પરમાણ્વીય અવસ્થામાં સમાન ઉર્જા ધરાવે છે,પરંતુ જ્યારે સંકીર્ણ બને છે ત્યારે લિગાન્ડ્સ ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ થિયરીના આધારે આ કક્ષકોની સમશક્તિ (degeneracy) દૂર કરે છે. ઉપરના વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

નીચેનામાંથી કયો સંકીર્ણ આયન ન્યૂનતમ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશનું શોષણ કરે છે?

નિર્બળ ક્ષેત્રના લિગેન્ડ્સથી ઘેરાયેલા $3d^4$ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના ધરાવતા ધાતુ આયનના ટેટ્રાહેડ્રલ સંકીર્ણમાં $CFSE$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?

અષ્ટફલકીય સવર્ગ સંયોજનોમાં $d$-કક્ષકોના કયા સેટ સીધા લિગેન્ડ તરફ અભિમુખ હોય છે?