તત્વો $A, B$ અને $C$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના અનુક્રમે $[He] 2s^1, [Ne] 3s^1$ અને $[Ar] 4s^1$ છે. $A, B$ અને $C$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી ($kJ \ mol^{-1}$ માં) માટે નીચેનામાંથી કયો ક્રમ સાચો છે?

નીચે આપેલા ઇલેક્ટ્રોનિક કોન્ફિગરેશન ધરાવતા તત્વોમાંથી,કોની આયનીકરણ ઉર્જા સૌથી વધુ છે?

આયનીકરણ પોટેન્શિયલનું સૌથી વધુ મૂલ્ય ધરાવતું તત્વ કયું છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન $I$: $Pb$ ની પ્રથમ આયનીકરણ ઉર્જા $Sn$ કરતા વધારે છે.
વિધાન $II$: $Ge$ ની પ્રથમ આયનીકરણ ઉર્જા $Si$ કરતા વધારે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

એક તત્વ માટે આયનીકરણ પોટેન્શિયલ $(IP)$ ના મૂલ્યો નીચે મુજબ છે. તત્વને ઓળખો:

$(IP)_1$	$7.1 \ eV$
$(IP)_2$	$10.3 \ eV$
$(IP)_3$	$36.2 \ eV$
$(IP)_4$	$39.1 \ eV$

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે. એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: ઓક્સિજનની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી નાઈટ્રોજન કરતા ઓછી છે.
કારણ $R$: ઓક્સિજનના $2p$ કક્ષકોમાં રહેલા ચાર ઈલેક્ટ્રોન વધુ ઈલેક્ટ્રોન-ઈલેક્ટ્રોન અપાકર્ષણ અનુભવે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.