તેના સંકીર્ણમાં ધાતુ આયનની ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી $[Ar] 3d^4$ છે. આ ધાતુ સંકીર્ણ માટે,$\Delta_o < P$ ($P=$ એક કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મન માટે જરૂરી ઉર્જા). સંકીર્ણમાં ઇલેક્ટ્રોનનું વિતરણ છે:
- A$(t_{2g})^3 (e_g)^1$
- B$(t_{2g})^2 (e_g)^2$
- C$(t_{2g})^4 (e_g)^0$
- D$(t_{2g})^1 (e_g)^3$
Explore More
Similar Questions
નીચે આપેલા સંકીર્ણોને List-$I$ માંથી List-$II$ માં તેમની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના સાથે જોડો.
List-$I$ (સંકીર્ણ) List-$II$ (ધાતુ/આયનની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના) $A. [Co(NH_3)_6]^{3+}$ $I. t_{2g}^5 e_g^0$ $B. [CoF_6]^{3-}$ $II. t_{2g}^6 e_g^0$ $C. [Ni(CO)_4]$ $III. t_{2g}^4 e_g^2$ $D. [Fe(CN)_6]^{3-}$ $IV. t^4 e^6$
| List-$I$ (સંકીર્ણ) | List-$II$ (ધાતુ/આયનની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના) |
|---|---|
| $A. [Co(NH_3)_6]^{3+}$ | $I. t_{2g}^5 e_g^0$ |
| $B. [CoF_6]^{3-}$ | $II. t_{2g}^6 e_g^0$ |
| $C. [Ni(CO)_4]$ | $III. t_{2g}^4 e_g^2$ |
| $D. [Fe(CN)_6]^{3-}$ | $IV. t^4 e^6$ |
$d^4$ કોન્ફિગરેશન ધરાવતા ઓક્ટાહેડ્રલ કોમ્પ્લેક્સમાં જો $\Delta_{0} < P$ (પેરિંગ એનર્જી) હોય,તો મેટલ એટમ/આયનની ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી શું હશે?
Medium
View Solutionસંકિર્ણ $[Co(CN)_6]^{3-}$ માટે ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્ટેબિલાઈઝેશન એનર્જી $(CFSE)$ કેટલી હશે?
Difficult
View Solution$d^4$ આયનો માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે $(P = \text{યુગ્મન ઉર્જા})$?
નીચેના પૈકી કયો લિગેન્ડ સૌથી ઓછું સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન (crystal field splitting) કરશે?
Medium
View SolutionVedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo