ट्रांजिस्टर एक ........... है।

सिलिकॉन क्रिस्टल में फॉरबिडन गैप की चौड़ाई $1.1 \, eV$ है। जब क्रिस्टल को $N$-प्रकार के अर्धचालक में परिवर्तित किया जाता है,तो फर्मी स्तर की चालन बैंड (conduction band) से दूरी कितनी होती है?

निम्नलिखित में से कौन सा ऊर्जा बैंड आरेख क्रमशः $N-$प्रकार के अर्धचालक और $P-$प्रकार के अर्धचालक को दर्शाता है?

एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की गतिशीलता क्रमशः $\mu_{n}$ और $\mu_{p}$ है। यदि इसका आंतरिक वाहक घनत्व $n_{i}$ है,तो होल सांद्रता $p$ का वह मान क्या होगा जिसके लिए दिए गए तापमान पर चालकता न्यूनतम होगी?

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक को किसके साथ डोपिंग करके $N$-प्रकार के बाह्य (extrinsic) अर्धचालक में परिवर्तित किया जाता है?

कमरे के तापमान पर आंतरिक सिलिकॉन के एक क्रिस्टल में वाहक सांद्रता $1.6 \times 10^{16} / m^3$ है। यदि दाता सांद्रता स्तर $4.8 \times 10^{20} / m^3$ है,तो अर्धचालक में होल्स की सांद्रता क्या होगी?