તત્વો $A, B, C$ અને $D$ ની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી (electron affinity) ના મૂલ્યો અનુક્રમે $-135, -60, -200$ અને $-348 \ kJ \ mol^{-1}$ છે. તત્વ $B$ ની બાહ્યતમ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના શું છે?

નીચેનામાંથી કોની ઇલેક્ટ્રોન એફિનિટી $(EA)$ સૌથી વધુ છે?

નીચેના પૈકી કયું વિધાન ખોટું છે?

આવર્ત કોષ્ટકમાં તત્વોની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પીની આવર્તિતતા સમજાવો.

ઓક્સિજન પરમાણુમાંથી ઓક્સાઈડ આયન,$O^{2-}_{(g)}$,બનવાની પ્રક્રિયામાં નીચે દર્શાવ્યા મુજબ પહેલા ઉષ્માક્ષેપક અને પછી ઉષ્માશોષક તબક્કો જરૂરી છે:
$O_{(g)} + e^- \to O^{-}_{(g)} ; \Delta_f H^{\Theta} = -141 \ kJ \ mol^{-1}$
$O^{-}_{(g)} + e^- \to O^{2-}_{(g)} ; \Delta_f H^{\Theta} = +780 \ kJ \ mol^{-1}$
આમ,વાયુ અવસ્થામાં $O^{2-}$ બનવાની પ્રક્રિયા પ્રતિકૂળ છે,ભલે $O^{2-}$ એ નિયોન સાથે આઈસોઈલેક્ટ્રોનિક હોય. આનું કારણ એ છે કે,

ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી (Electron affinity) કોના માટે સૌથી ઓછી છે?