કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે અને જ્યારે હવા માધ્યમ તરીકે હોય ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $C_1$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $\frac{2d}{3}$ જાડાઈની અને પ્લેટ જેટલા જ ક્ષેત્રફળવાળી ધાતુની શીટ મૂકવામાં આવે,તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_2$ થાય છે. ગુણોત્તર $\frac{C_2}{C_1}$ કેટલો થશે ($:1$ માં)?

$A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે સમાંતર પ્લેટોને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે અલગ-અલગ ડાઇઇલેક્ટ્રિક વડે અલગ કરવામાં આવી છે. પરિણામી કેપેસીટન્સ શોધો.

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક કેપેસિટર ડાયઇલેક્ટ્રિક્સથી ભરેલું છે. તેનું પરિણામી કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

$K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થની એક સ્લેબનું ક્ષેત્રફળ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો જેટલું જ છે,પરંતુ તેની જાડાઈ $(3/4)d$ છે,જ્યાં $d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે. જ્યારે આ સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે ત્યારે કેપેસિટન્સમાં શું ફેરફાર થાય છે?

$A$ પ્લેટ ક્ષેત્રફળ અને $d$ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ડાયઇલેક્ટ્રિક વડે ભરવામાં આવે છે. જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિકની પરમિટિવિટી નીચે મુજબ બદલાતી હોય ત્યારે કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ શું હશે:
$\varepsilon(x) = \varepsilon_{0} + kx$,$(0 < x \leq d/2)$ માટે
$\varepsilon(x) = \varepsilon_{0} + k(d-x)$,$(d/2 \leq x \leq d)$ માટે

સમાન કેપેસીટન્સ $C$ ધરાવતા બે સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસીટરોને $E$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. ત્યારબાદ એક કેપેસીટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. શ્રેણી જોડાણના અસરકારક કેપેસીટન્સમાં થતો ફેરફાર કેટલો હશે?