આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ચાર કેપેસિટર તેમની કેપેસીટન્સ અને બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ સાથે દર્શાવેલ છે. બાહ્ય emf સ્ત્રોતનું મહત્તમ મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ જેથી કોઈ પણ કેપેસિટર બ્રેકડાઉન ન થાય? ($kV$ માં)

$C_1$ મૂલ્યના $n_1$ કેપેસિટર્સના શ્રેણી જોડાણને $4V$ ના સ્થિતિમાન તફાવતના સ્ત્રોત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જ્યારે $C_2$ મૂલ્યના $n_2$ કેપેસિટર્સના સમાંતર જોડાણને $V$ ના સ્થિતિમાન તફાવતના સ્ત્રોત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેમાં સંગ્રહિત કુલ ઉર્જા પ્રથમ જોડાણ જેટલી જ હોય છે. તો $C_1$ ના સંદર્ભમાં $C_2$ નું મૂલ્ય શું હશે?

આપેલ પરિપથમાં,કેપેસિટર $C$ પરનો સ્થાયી અવસ્થાનો વોલ્ટેજ એ બેટરીના e.m.f. $V$ નો એક અંશ છે. આ અંશ કોના દ્વારા નક્કી થાય છે?

$18 \ \mu F, 600 \ V$ નો કેપેસિટર બનાવવા માટે $6 \ \mu F, 200 \ V$ ના કેટલા કેપેસિટરની જરૂર પડશે?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને સેલ દ્વારા $V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને સેલથી અલગ કરવામાં આવે છે. હવે તેની પોઝિટિવ પ્લેટને $+Q$ જેટલો વિદ્યુતભાર આપવામાં આવે છે. તો કેપેસિટરના બે પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

$Q$ વીજભાર અને $M$ દળ ધરાવતો એક કણ $B$ તીવ્રતા ધરાવતા સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગે ગતિ કરે છે। હવે આ જ કણ તેટલી જ ઝડપથી નળાકાર કેપેસિટરના નળાકાર ઇલેક્ટ્રોડ્સ વચ્ચેની જગ્યામાં $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગે ગતિ કરે છે। અંદરના ઇલેક્ટ્રોડની ત્રિજ્યા $R/2$ છે અને બહારના ઇલેક્ટ્રોડની ત્રિજ્યા $3R/2$ છે। તો કેપેસિટરના ઇલેક્ટ્રોડ્સ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?