ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની ઘનતા $3 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. એલ્યુમિનિયમ સાથે ડોપિંગ કરવા પર,હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. હવે,ડોપ્ડ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ($m^{-3}$ માં) કેટલી હશે?
- A$1 \times 10^{10}$
- B$2 \times 10^{10}$
- C$0.5 \times 10^{10}$
- D$4 \times 10^{10}$
Explore More
Similar Questions
જર્મેનિયમ $(Ge)$ માં એલ્યુમિનિયમ $(Al)$ ની અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સ્વીકારનાર અણુઓનું સંકેન્દ્રણ $N_A \cong 10^{21} \text{ atoms/m}^3$ હોય અને આંતરિક વાહક સંકેન્દ્રણ $n_i = 10^{19} \text{ m}^{-3}$ હોય,તો ઈલેક્ટ્રોનનું સંકેન્દ્રણ કેટલું હશે?
Easy
View Solutionએક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર ક્રિસ્ટલમાં $8 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ છે. તેમાં $2 \text{ ppm}$ સાંદ્રતાના પેન્ટાવેલેન્ટ પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. સેમિકન્ડક્ટર ક્રિસ્ટલમાં બનતા હોલ્સની સંખ્યા શોધો (ઇન્ટ્રિન્સિક કેરિયર સાંદ્રતા,$n_i = 1 \times 10^{16} \text{ m}^{-3}$).
એક સેમિકન્ડક્ટરને અશુદ્ધિ તરીકે ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે. સેમિકન્ડક્ટરમાં નિર્મિત અશુદ્ધિ સ્તરો કોની નજીક હોય છે?
$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકની વાહકતા કેટલી હશે? જો ઈન્ટ્રિન્સિક કેરિયર સાંદ્રતા $1.072 \times 10^{10} \ cm^{-3}$ હોય અને આ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન મોબિલિટી $\mu_n = 1350 \ cm^2 / (V \cdot s)$ અને હોલ મોબિલિટી $\mu_p = 480 \ cm^2 / (V \cdot s)$ હોય.
Difficult
View Solution$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહકો વિશે ટૂંકમાં લખો.
Medium
View SolutionVedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo