$100 eV$ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ શોધો. $[$ $h=4.14 \times 10^{-15} eVs$, ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= \frac{0.5 \times 10^6}{c^2} eV/c^2$, $1 pm = 10^{-12} m$ નો ઉપયોગ કરો $]$ ($pm$ માં)

જો $E_p$ અને $E_e$ અનુક્રમે ફોટોન અને ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા દર્શાવતા હોય. જો ફોટોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_p$ એ ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_e$ કરતા બમણી હોય,તો $E_e / E_p$ શું થાય? (ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $= C/100$,જ્યાં $C$ એ પ્રકાશનો વેગ છે).

એક ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોનને $100\, V$ ના સમાન સ્થિતિમાન દ્વારા પ્રવેગિત કરીને તેમની સાથે સંકળાયેલી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇની ગણતરી કરવામાં આવી હતી. તેમની તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર આશરે કેટલો હોવો જોઈએ? $(m_{P} = 1.00727\, u, m_{e} = 0.00055\, u)$

જો કોઈ કણની ગતિઊર્જા તેના અગાઉના મૂલ્ય કરતા $16$ ગણી કરવામાં આવે,તો કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇમાં થતો ટકાવારી ફેરફાર કેટલો હશે?

સમાન સ્થિતિમાનના તફાવતથી પ્રવેગિત થતાં પ્રોટોન અને $\alpha$-કણની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર શોધો.

$10 \ kV$ ના વોલ્ટેજ દ્વારા પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોન બીમની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. જો વોલ્ટેજ વધારીને $20 \ kV$ કરવામાં આવે,તો ઇલેક્ટ્રોન બીમ સાથે સંકળાયેલી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી થશે?