$m$ દળ ધરાવતો કણ $v$ વેગથી ગતિ કરતો હોય,તો તેની સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી થાય?

જો મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા બમણી કરવામાં આવે,તો તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં કેટલા ગણો ફેરફાર થશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન (દળ $m$) અને એક ફોટોન સમાન ઉર્જા $E$ ધરાવે છે જે થોડા $eV$ ના ગાળામાં છે. ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ અને ફોટોનની તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કેટલો થાય? ($c =$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ)

કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $(\lambda)$ અને તેના સંબંધિત વેગમાન $(p)$ વચ્ચેનો ફેરફાર દર્શાવતો આલેખ કયો છે?

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં વપરાતા ઇલેક્ટ્રોનને $25 \ kV$ ના વોલ્ટેજ દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. જો વોલ્ટેજ વધારીને $100 \ kV$ કરવામાં આવે,તો ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ કેટલી થશે?

$80 eV$ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ આશરે કેટલી હશે ($Å$ માં)? ($1 eV = 1.6 \times 10^{-19} J$,ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} kg$,પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.6 \times 10^{-34} J-s$).