આપેલ પરિપથમાં $10\, \Omega$ ના અવરોધમાંથી વહેતો પ્રવાહ $I$ .......$mA$ છે.

રિવર્સ બાયસ્ડ $p-n$ જંકશનના ડેપ્લેશન લેયરમાં,

જો આપેલ પરિપથમાં ડાયોડના બે છેડા વચ્ચેનો વૉલ્ટેજ $0.5 \ V$ હોય,તો પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ ...... $mA$ છે.

સિલિકોન ડાયોડનો $V-I$ લાક્ષણિક આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. $(a) \; I_{D} = 15 \, mA$ અને $(b) \; V_{D} = -10 \, V$ પર ડાયોડનો અવરોધ ગણો.

$p-n$ જંકશનને જોડવાની પદ્ધતિઓ જણાવો.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: રિવર્સ-બાયસ સ્થિતિમાં ડાયોડ ખૂબ જ ઓછો પ્રવાહ આપે છે જે એક નિર્ણાયક મર્યાદા સુધી વોલ્ટેજથી લગભગ સ્વતંત્ર હોય છે,જેના પર પ્રવાહમાં તીવ્ર વધારો થાય છે.
કારણ $R$: નિર્ણાયક વોલ્ટેજ મર્યાદાની નીચે,માત્ર મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ વહે છે જે નિર્ણાયક વોલ્ટેજની ઉપર તીવ્રતાથી વધે છે.