P-N जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential | vedclass

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Question

(D) जब एक $P-N$ जंक्शन बनता है,तो इलेक्ट्रॉन $n$-क्षेत्र से $p$-क्षेत्र में और होल $p$-क्षेत्र से $n$-क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं। इस विसरण

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जंक्शन के पास धनात्मक और ऋणात्मक आवेशों का सांद्रण

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(D) जब एक $P-N$ जंक्शन बनता है,तो इलेक्ट्रॉन $n$-क्षेत्र से $p$-क्षेत्र में और होल $p$-क्षेत्र से $n$-क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं। इस विसरण के कारण,जंक्शन के पास का $n$-पक्ष धनात्मक रूप से आवेशित (दाता आयनों के कारण) हो जाता है और $p$-पक्ष ऋणात्मक रूप से आवेशित (ग्राही आयनों के कारण) हो जाता है। जंक्शन के पास धनात्मक और ऋणात्मक आवेशों का यह संचय एक विद्युत क्षेत्र बनाता है,जो आवेश वाहकों के आगे विसरण का विरोध करता है। अचल आयनों के इस क्षेत्र को अवक्षय परत (depletion layer) कहा जाता है,और इसके आर-पार उत्पन्न विभवांतर को विभव प्राचीर (potential barrier) के रूप में जाना जाता है।

$P-N$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) का कारण क्या है?

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सेल $Cu_{(s)}|Cu^{2+}_{(aq)}||Ag^{+}_{(aq)}|Ag_{(s)}$ का $emf$ परिकलित कीजिए। दिया गया है: $E_{Cu^{2+} / Cu}^0 = +0.34 \ V$,$E_{Ag^{+} / Ag}^0 = 0.80 \ V$.

बिंदु $(1, 2, -3)$ से गुजरने वाले और समतलों $3x + y - 2z = 5$ तथा $2x - 5y - z = 7$ के लंबवत समतल का समीकरण ज्ञात कीजिए।

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