p-n जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential | vedclass

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Question

(D) $p-n$ जंक्शन के निर्माण के दौरान,$p-$क्षेत्र से होल $n-$क्षेत्र में और $n-$क्षेत्र से इलेक्ट्रॉन $p-$क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं।जब एक इ

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जंक्शन के निकट धनात्मक और ऋणात्मक आवेशों का सांद्रण

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(D) $p-n$ जंक्शन के निर्माण के दौरान,$p-$क्षेत्र से होल $n-$क्षेत्र में और $n-$क्षेत्र से इलेक्ट्रॉन $p-$क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं।जब एक इलेक्ट्रॉन एक होल से मिलता है,तो वे पुनर्संयोजित होकर एक-दूसरे के प्रभाव को समाप्त कर देते हैं,जिससे जंक्शन पर एक पतली परत बन जाती है जो मुक्त आवेश वाहकों से रहित होती है। इसे अवक्षय परत (depletion layer) कहा जाता है।विसरण प्रक्रिया के कारण,अचल आयनित परमाणु पीछे छूट जाते हैं: $p-$पक्ष पर ऋणात्मक आयन और $n-$पक्ष पर धनात्मक आयन।इन अचल आवेशों का संचय जंक्शन पर एक विद्युत क्षेत्र और विभवांतर उत्पन्न करता है,जिसे विभव प्राचीर (potential barrier) कहा जाता है।

$p-n$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) का कारण क्या है?

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